{"id":51049,"date":"2014-10-11T00:00:00","date_gmt":"2014-10-10T22:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sonnenseite.com\/politik\/das-phenomen-lichtinduzierte-degradation.html"},"modified":"2014-10-11T00:00:00","modified_gmt":"2014-10-10T22:00:00","slug":"das-phenomen-lichtinduzierte-degradation","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sonnenseite.com\/de\/politik\/das-phenomen-lichtinduzierte-degradation\/","title":{"rendered":"Das Phenomen lichtinduzierte Degradation"},"content":{"rendered":"

Neue Technologie reduziert lichtinduzierte Degradation in p-Type-basierten Silizium-Solarzellen. <\/p>\n

Die Gesch\u00e4ftseinheit Solar des Elektronikspezialisten LG Electronics k\u00fcndigte auf der EUPVSEC 2014 eine neue innovative Technologie an, welche die lichtinduzierte Degradation (LID) in p-Typ-basierten monokristallinen Solarzellen um 80 Prozent reduzieren kann. LG Electronics\u2019 neue Technologie kann problemlos in bestehende Produktionslinien integriert werden. Auch andere Rohstoffe bei der Produktion oder eine \u00c4nderung der p-Type-basierten monokristallinen Silizium-Struktur ist nicht n\u00f6tig.<\/p>\n

Das Phenomen lichtinduzierte Degradation<\/strong><\/p>\n

Lichtinduzierte Degradation beeintr\u00e4chtig die Leistung von Solarzellen und \u2013modulen, kurz nachdem sie direktem Lichteinfall ausgesetzt waren. Dieser Effekt gilt in der PV-Branche insbesondere bei p-Type-basierten Solarprodukten als unvermeidbar. Der Leistungsabfgall kann bis zu f\u00fcnf Prozent der eigentlichen Spezifikation des betreffenden Moduls betragen. Dabei erzeugt das Sonnenlicht Bor (das Dotierungsmittel bei p-Type-basierten Silizium-Wafern), das sich mit Sauerstoff, der als Verunreinigung in den Wafern enthalten ist, verbindet. Die Bor-Sauerstoff-Verbindung in den Zellen ist die Hauptursache f\u00fcr die lichtinduzierte Degradation.<\/p>\n

Der Vorschlag vieler Forscher, Gallium-dotierte Siliziumwafer anstelle von Bor-dotierten und MCz (Magnetisch begrenzte Czochralski)-Wafern mit niedriger Sauerstoffkonzentration zu nutzen, um die LID zu reduzieren, setzte sich aufgrund h\u00f6herer Kosten und aufw\u00e4ndiger Produktionsprozesse nicht durch. Mit der neuen LG-Technologie l\u00e4sst sich die Bor-Sauerstoff-Verbindung einfach unterdr\u00fccken. Der LID-Effekt wird durch die Bildung einer Bor-Wasserstoff-Verbindung unterbunden, der die Leistungsf\u00e4higkeit der Zelle nicht beeintr\u00e4chtigt.<\/p>\n

\u201eLG Electronics investiert hohe Betr\u00e4ge in den Bereich Forschung und Entwicklung, um seinen Kunden zu jeder Zeit hochwertige und zuverl\u00e4ssige Solartechnologie bieten zu k\u00f6nnen. Ein weiteres Resultat unserer unerm\u00fcdlichen Forschungsarbeit ist die neue Technologie, mit der wir den LID-Effekt deutlich reduzieren k\u00f6nnen, ohne dabei Fertigungsprozesse oder Materialkosten anheben zu m\u00fcssen\u201c, erkl\u00e4rt Michael Harre, Vice President der EU Solar Business Group bei LG Electronics. \u201eDank der neuesten Erkenntnisse sind wir in der Lage, unseren Kunden zuverl\u00e4ssige Solartechnik zu konkurrenzf\u00e4higen Preisen bieten zu k\u00f6nnen.\u201c<\/p>\n

Quelle<\/h5>\n

LG Electronics 2014<\/p>\n

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