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Avancis meldet 16,6% Wirkungsgrad für kleinformatiges CIS-Modul

AVANCIS erzielt einen neuen Wirkungsgradweltrekord für verkapselte Dünnschichtmodule.

Auf einem 30 x 30 cm² großen Cd-freien CIS-Solarmodul hat das Unternehmen einen internationalen Spitzenwert von 16,6% erreicht, der vom NREL, dem Forschungslabor für erneuerbare Energie und Energieeffizienz des US-amerikanischen Energieministeriums, unabhängig bestätigt wurde.

AVANCIS konnte seinen letzten extern zertifizierten Wirkungsgradrekord von 2011 erneut steigern und führt wieder die internationale Effizienz-Rangliste von verkapselten CIS Dünnschichtmodulen an. Der Aperturwirkungsgrad von 16,6% des Champion-Moduls wurde von NREL im Januar 2014 zertifiziert und wird in die offiziellen Rekordwirkungsgradtabelle der Zeitschrift Progress in Photovoltaics: Research and Applications in der kommenden Ausgabe aufgenommen (Solar Efficiency Tables, Table II: Confirmed terrestrial module efficiencies). Zusammen mit dem kürzlich veröffentlichten Wirkungsgrad von ZSW von 20,8% an einer Laborzelle demonstriert dieses Ergebnis das außerordentliche Potenzial der CIS basierten Dünnschicht Technologien.

„Die Steigerung des Wirkungsgrades zeigt das enorme Potential unseres CIS-Fertigungsprozesses“, erklärt Dr. Jörg Palm, Leiter der Prozessentwicklung bei AVANCIS. „Ein Transfer des Pilotprozesses in die Fertigung würde zu einer beeindruckenden Modulleistung von knapp 160 Wp der ca. 1 m² großen PowerMax® Module führen. Die sehr gute Homogenität der CIS Absorber-Eigenschaften auf einem Produktionsmaß von 158 x 66 cm² konnte demonstriert werden anhand der geringen Abweichung von maximal 0,15% absolut zwischen unterschiedlichen  30 x 30 cm² Modulen aus dem gleichen Vollformatabsorber“, ergänzt Palm.

Das 30 x 30 cm² große Champion-Modul stammt aus einem seriengefertigten CIS Absorber der zweiten AVANCIS Fabrik in Torgau und wurde ab der Puffer-Prozessierung im Forschungs- und Entwicklungszentrum in München weiter prozessiert.

Die Wirkungsgradverbesserung basiert auf der Optimierung der InxSy Pufferschicht in Hinblick auf Bandlücke, Bandanpassung und Transmission insbesondere im kurzen Wellenlängenbereich.

Im Weiteren wurde die Transmission und der Schichtwiderstand des gesputterten ZnO: Al Frontkontaktes optimiert sowie die Totzone zwischen den serienverschalteten Zellen durch Einsatz von Pikosekunden Laserprozessen reduziert.

Quelle

AVANCIS 2014

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